Кафедра Конструирования и производства радиоаппаратуры МарГТУ Марийский государственный технический университет Радиотехнический факультет МарГТУ Дата (год) открытия Заведующий кафедрой Сушенцов Николай Иванович Студенты 61 Доктора 1 Профессора 3 Месторасположение Россия , Йошкар-Ола , ул. Панфилова, 17 Официальный сайт http://kipr-margtu.ucoz.ru Юридический адрес Кафедра Конструирования и производства радиоаппаратуры, Радиотехнический факультет, Марийский государственный технический университет, ул. Панфилова, 17, Йошкар-Ола, 424000, Россия

Кафедра Конструирования и производства радиоаппаратуры (КиПР) Радиотехнического факультета (РТФ) Марийского государственного технического университета (МарГТУ)

История

Кафедра Конструирования и производства радиоаппаратуры (КиПР) была образована 28 августа 1975 года. Первым заведующим кафедрой был Одинцов, затем с 1999 года по 2009 - доктор технических наук, профессор Николай Михайлович Скулкин. С 2009 по 2010 г.г. обязанности зав. кафедрой исполнял к.т.н., профессор Леухин Владимир Николаевич. С 2010 года по настоящее время заведующим кафедрой КиПР МарГТУ является к.т.н., доцент Сушенцов Николай Иванович

Специальности

В настоящее время кафедра КиПР МарГТУ является выпускающей по специальностям 210303 «Бытовая радиоэлектронная аппаратура» (БРЭА), 220501 «Управление качеством» (УК) и по направлению 210300 «Радиотехника бакалавр» (РТБ). Выпускники направления «Радиотехника бакалавр» могут продолжить обучение на факультете и получить степень магистра. Ведется работа по получению права обучать студентов по направлению "Проектирование электронных средств" (ПЭС)

Профессорско-преподавательский состав кафедры КиПР

• Сушенцов Николай Иванович - к.т.н., доцент, зав. кафедрой

• Скулкин Николай Михайлович - д.т.н., профессор

• Павлов Евгений Петрович - к.т.н., профессор

• Игумнов Владимир Николаевич - к.т.н., профессор

• Леухин Владимир Николаевич - к.т.н., доцент

• Михеева Елена Викторовна - к.т.н., доцент

• Изиков Владимир Тихонович - к.т.н., доцент

• Любшин Валерий Алексеевич - старший преподаватель

• Дубровин Лев Алексеевич - старший преподаватель

• Сальников Владимир Константинович - старший преподаватель

Лаборатории кафедры КиПР

• Лаборатория физических основ микроэлектроники

• Лаборатория физики отказов электронных средств (ЭС)

• Лаборатория управления качеством электронных средств (ЭС)

• Лаборатория технологии интегральных микросхем

• Лаборатория конструирования и расчета интегральных микросхем (ИМС) и микропроцессоров (МП)

• Лаборатория аудиовизуальных средств

Преподаваемые дисциплины

• Конструирование и технология радиоэлектронных систем
• Основы компьютерного проектирования и моделирования РЭС
• Основы проектирования электронных средств
• Прикладные программы для решения радиотехнических задач
• Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров
• Сквозное проектирование электронных средств
• Современные методы проектирования электронных средств
• Теоретические основы микроминиатюризации радиоэлектронных систем
• Технология электронно-вычислительных средств
• Устройства записи и воспроизведения сигналов
• Физические основы электроники

Научная работа

Радиотехнический факультет (РТФ) утвержден приказом министра высшего образования СССР от 19 января 1952 г. "О структуре Рязанского радиотехнического института" (РРТИ). При организации РРТИ в 1952 г. на радиотехническом факультете была открыта специальность 0705 "Конструирование и производство радиоаппаратуры". В связи с названной специальностью радиотехнический факультет был переименован в факультет конструирования и технологии производства радиоаппаратуры (ФКТПР).

В 1962 г. после принятия решения об открытии в РРТИ специальностей 0701 "Радиотехника" и 0707 "Радиоэлектронные системы" факультету было возвращено его исходное название – "Радиотехнический факультет" – и организованы три выпускающие кафедры: кафедра радиоприемных и радиопередающих устройств, кафедра радиотехнических систем с подготовкой по специальности "Радиотехника", а также кафедра радиоэлектронных устройств с подготовкой по специальности "Радиоэлектронные устройства".

В связи с развитием сетевых каналов связи и телекоммуникаций в 2003 г. факультету было присвоено новое название: факультет радиотехники и телекоммуникаций (ФРТ).

На сегодняшний день факультет выпускает бакалавров по направлениям подготовки 11.03.01 «Радиотехника» и 11.03.02. «Инфокоммуникационные технологии и системы связи», магистров по направлениям подготовки 11.04.01 «Радиотехника» и 11.04.02. «Инфокоммуникационные технологии и системы связи», а также инженеров по специальности 11.05.01 «Радиоэлектронные системы и комплексы». Большинство студентов специальности 11.05.01 обучаются в учебном военном центре (УВЦ) по программе подготовки офицеров для военной службы по контракту.

На факультете работают 64 преподавателя, из них 6 профессоров, 8 докторов технических наук, 24 доцента, 37 кандидатов технических наук, 10 "Почетных работников высшего профессионального образования Российской Федерации".

В состав факультета входят кафедры:

Кафедры РТС, РТУ, РУС и ТОР являются выпускающими; на кафедре ФВ дисциплина "Физическая культура и спорт" преподается студентам всех факультетов ВУЗа.

На всех выпускающих кафедрах успешно функционирует аспирантура, поэтому выпускники магистратуры и специалитета имеют возможность повысить свою квалификацию, занимаясь научными исследованиями в области фундаментальных и прикладных проблем радиотехники.

Наряду с педагогической и научной работой большое внимание на факультете уделяется воспитательной работе со студентами, формированию у них научного мировоззрения, стремлению в совершенстве овладеть избранной специальностью, стать культурным и полезным обществу человеком. Выпускники факультета пользуются заслуженным уважением на предприятиях радиоэлектронной промышленности.

На факультете развита социально-оздоровительная и культурно-массовая деятельность студенческого актива. Студенты ФРТ традиционно занимают лидирующие позиции в спартакиадах, проводимых РГРТУ.

1. История кафедры

Кафедра «Конструирование и производство радиоаппаратуры» (КПРА) была создана во Всесоюзном заочном политехническом институте (ВЗЭИ) в 1958 году. В 1967 г. ВЗЭИ был преобразован в Московский института радиотехники, электроники и автоматики. Кафедра ведет подготовку радиоинженеров по специальности «Проектирование и технология радиоэлектронных средств».
До 1980 г. кафедру возглавлял главный конструктор разработок в области радиосвязи, лауреат Государственных премий, доктор технических наук, профессор М.Р.Капланов, горячий сторонник подготовки инженеров на основе тесного взаимодействия учебного процесса с производством, обобщивший принципы инженерной деятельности в философских работах, опубликованных в журналах «Вопросы философии».
С 1981 г. по 2003 г. кафедрой руководил А.Ф. Мевис, к.т.н., профессор, академик Международной Академии информатизации, имеющий значительный опыт работы в промышленности по созданию радиоэлектронной аппаратуры и 25-летний стаж педагогической работы. А.Ф. Мевис– автор более 150 научных и учебно-методических работ, являлся руководителем ряда научно-исследовательских работ, состоял членом Методического совета Минвуза РФ, был руководителем семинара Всесоюзной школы студентов радиотехнических специальностей.
Со дня основания кафедры на ней работали: кандидат технических наук, доцент Н.О. Варганов – известный специалист в области надежности аппаратуры радиосвязи, опытный педагог, автор отраслевых и государственных стандартов по проектированию и созданию РЭС, доцент Д.С. Савровский– один из организаторов технологической промышленности ридиоаппаратостроения в стране, педагог с 35-летним стажем, автор учебников, учебных пособий, а также методических разработок. Более 15 лет (до 1986 г.) на кафедре проработал крупный специалист в области производственной технологии, старейший педагог, кандидат технических наук, доцент И.Б. Литинецкий – популяризатор науки и техники, член Союза журналистов. Его книги, кроме нашей страны, издавались в Польше, Венгрии, Чехословакии, ФРГ, Японии и других странах.
В 1989 году в состав кафедры КПРА вошла одна из старейших кафедр института – «Технология металлов», на которой трудились доктор технических наук, профессор К.Н. Милицын; кандидаты технических наук, доценты: А.А. Рассохин; В.М. Кононов, В.Ф. Резниченко, А.П. Наумкин, В.Б. Звягин. В результате реорганизации в 1991 году кафедра была разделена на кафедру КПРЭС под руководством А.Ф. Мевиса и кафедру «Технология радиоэлектронных средств» (ТРЭС) под руководством В.Л. Коблова., д.т.н., профессора, академика транспортной академии. В 1996 году произошло объединение кафедр под общим названием КПРЭС.

В соответствии с профилем базовых кафедр, выпускники кафедры КПРЭС приобретали специализации в области космической радиосвязи, космического радиоаппаратостроения, морского радиоаппаратостроения, радиолокационной техники, волоконно-оптической связи и радиосистем противовоздушной обороны.

2. Деятельность кафедры в настоящее время

В настоящее время в составе кафедры 33 сотрудника, в т.ч. 3 профессора, доктора наук и 16 доцентов, кандидатов наук, 5 старших преподавателей, один ассистент. Все сотрудники кафедры - признанные специалисты, известные результатами своей научной и практической деятельности в области проектирования и технологии радиоэлектронных средств, ведут активную преподавательскую и научную работу по актуальным научным направлениям развития радиоэлектроники.

Основными направлениями деятельности кафедры в подготовке специалистов и выполнении научно-исследовательских работ являются проектирование и технология РЭС. В учебном процессе и в научно-исследовательской деятельности по развитию технологического направления выполняет группа в составе: д.т.н., профессор Р.М.-Ф. Салихджанова, к.т.н., доцент С.Д. Толстых, доцент А.И. Горобец, к.т.н., доцент Д.И. Ахмадьярова, к.т.н., доцент Б.М. Милинкис, к.т.н., доцент Г.И. Смирнова, старшие преподаватели М.В. Покровская и В.И. Илларионова.

Все виды деятельности кафедры, связанные с проектированием, развитием методов и средств конструирования РЭС осуществляют конструкторская группа в составе: д.т.н., профессор И.Ф. Будагян, к.т.н., доцент Е.В. Васильев, к.н.т, доцент В.Б. Звягин, к.т.н., доцент Л.Г. Крыницкий, к.т.н.,доцент В.В. Куренков, к.т.н., доцент Е.М. Лазарев, к.т.н., доцент А.П. Левин, к.т.н., доцент А.А. Мушинский, к.т.н., доцент А.С. Новиков, к.т.н., доцент Ю.Г. Семенов, к.ф.-м.н., доцент О.В. Соколова,к.т.н., доцент С.А. Титов, старшие преподаватели Ю.А. Александров, М.Д. Петрушин, Ю.М. Фатьянов, ассистент Г.Г. Щучкин.

В подготовке специалистов, организации и проведении научно-исследовательских работ и участии в практической деятельности по таким направлениям как вопросы технического регулирования, обеспечение качества и надежности, управление инновациями, стандартизация и сертификация РЭС, испытания, измерения, контроль, диагностика РЭС, внедрение информационных технологий участвуют: д.т.н., профессор В.В. Сидорин, к.т.н., доцент А.С. Л.Г. Крыницкий, к.т.н., доцент А.С. Новиков и весь коллектив кафедры.

Формирование навыков и умений при подготовке инженеров на кафедре и научно-практическая деятельность сотрудников кафедры с привлечением студентов и аспирантов по конструкторскому и технологическому направлениям сконцентрирована в двух лабораториях: «Конструирование РЭС» и «Технология РЭС». Эффективную деятельность лабораторий обеспечивает квалифицированный инженерный состав: С.В. Блинов, Е.Г. Беляева, М.В. Мирошниченко, З.В.Поддубная под руководством заведующего лабораторией«Конструирование РЭС» Ю.В. Дронова, а Е.А. Дудина, С.В. Колобков и С.В. Никифоровский - в лаборатории «Технологии РЭС» с ее заведующим Л.В. Тумановым.

С 2005 г. заведующий кафедрой – В.В. Сидорин, доктор технических наук, профессор, лауреат Премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники, действительный член Академии проблем безопасности, обороны, и правопорядка, автор более 100 научных работ, 17 изобретений.

Большой вклад в развитие кафедры, совершенствование учебно-методического процесса и развитие научных исследований вносят такие преподаватели, как доктор технических наук профессор Р.М.-Ф. Салихджанова– опытный педагог технологического цикла, создатель полярографической аппаратуры, автор ряда монографий и научных публикаций и И.Ф. Будагян, д.ф.- м.н., профессор крупный специалист в области электродинамики, радиолокации и средств снижении радиолокационной заметности.

Учебный процесс

Кафедра ведет учебный процесс на дневном, вечернем и заочном отделениях по 28 дисциплинам и является выпускающей по всем формам обучения. Студенты, обучаемые на кафедре, выполняют дипломные проекты на базовых предприятиях – ведущих предприятиях радиопромышленности, с которыми кафедра поддерживает тесные связи. На ряде базовых предприятий для производственников, имеющих среднее специальное образование и обладающих опытом работы, организована вечерняя ускоренная подготовка с сокращенными сроками обучения.

Лабораторный практикум студенты проходят в 10 учебных лабораториях. На кафедре сформирована и постоянно пополняется библиотека с конструкторско-технической документацией. За последние годы проведена значительная работа по внедрению современных информационных технологий в учебный процесс.

Научное направление кафедры

Основным научным направлением кафедры является повышение эффективности и качества РЭС на стадии проектирования, производства и эксплуатации. Тематика научно-исследовательских работ тесно связана с профилем работ базовых предприятий. Результаты научно-исследовательских работ, выполняемых на кафедре, имеют практическую ценность и неоднократно были отмечены наградами и премиями. Старший научный сотрудник, к.т.н. А.Л. Золотой и к.т.н., доцент О.П. Наумкин были награждены серебряной медалью ВДНХ за создание установки по рафинированию алюминиевых вторичных сплавов. Профессором Р.М.-Ф. Салихджановой сразработаны и внедрены в производство полярографы ПЛС-2А, ПУ-1М и ПЛС-1М. К работам, выполненным на кафедре, следует отнести разработки, связанные с расчетом надежности аппаратуры радиосвязи, методом испытаний на надежность радиостанций подвижной службы, терминологией связной радиоаппаратурой. Все они завершились внедрением в промышленность и выпуском отраслевых и государственных стандартов. В настоящее время ведутся исследования по проблемам надежности программного обеспечения радиокомплексов с длительными сроками существования, автоматизированного конструирования электрических межсоединений сложных объектов, обеспечения работоспособности РЭС в экстремальных условиях, создания качественных паяных соединений при монтаже печатных плат и герметизации корпусов модулей СВЧ, разработке перспективных технологий микроэлектронных устройств. Ведется разработка полярографической аппаратуры, позволяющей определять качественный состав ряда продуктов.

Много внимания на кафедре уделяется проведению научно-исследовательской работе среди студентов. Ежегодно к научным исследованиям привлекается более студенты всех форм обучения, активно действует Учебно-научное студенческое конструкторское бюро. Студенческие работы неоднократно занимали призовые места на различных конкурсах – награждались медалями ВДНХ, грамотами Минвуза РФ.

По результатам научных исследований сотрудниками кафедры защищены две диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук и более десяти диссертаций на соискание ученой степени кандидата технических наук.

Широко представлена издательская деятельность. По дисциплинам кафедры выпускаются учебно-методическая литература. Сотрудники кафедры активно участвуют в подготовке монографий, учебных пособий, справочников. В их числе такие работы как: «Конструкционные материалы и их обработка (доцент Д.С Савровский), «Справочник конструктора РЭА», т.т.1,2 (доценты В.М. Городилин, А.И. Фефер), «Допуски и посадки деталей радиоэлектронной аппаратуры (доценты А.Ф.Мевис, В.Б. Несвижский, А.И. Фефер), «Автоматизированное проектирование конструкций радиоэлектронной аппаратуры» (доцент В.Г.Одиноков).

По результатам педагогической, научной и общественной деятельности кафедра КПРЭС трижды занимала первые места в соревнованиях среди выпускающих кафедр института, призовые места в конкурсах студенческих НИР.

Кафедра принимает активное участие в профориентационной работе с выпускниками школ г. Москвы. В течение 5 лет ответственным секретарем приемной комиссии являлся А.Ф. Мевис.

Обеспечение качества подготовки специалистов

В настоящее время приоритетное направление деятельности кафедры – обеспечение качества подготовки специалистов и их конкурентоспособности в практической деятельности. Высокая квалификация выпускаемых специалистов достигается в результате изучения совокупности общеобразовательных, общетехнических дисциплин и дисциплин специализации, включая такие, как:

• Материаловедение и материалы электронных средств;
• Конструирование радиоэлектронных средств;
• Основы проектирования радиоэлектронных средств;
• Общая электротехника и электроника;
• Метрология, стандартизация и технические измерения;
• Организация и планирование производства;
• Основы автоматики и системы автоматического управления;
• Физико-химические основы технологии электронных средств;
• Схемотехника электронных средств;
• Основы проектирования электронных средств;
• Управление качеством электронных средств;
• Технология деталей РЭС;
• Технология радиоэлектронных средств;
• Интегральные устройства радиоэлектроники;
• Информационные технологии проектирования РЭС;
• Основы радиоэлектроники и связи;
• Техническая электродинамика;
• Автоматизация технологических процессов;
• Методы и средства испытаний РЭС;
• Основы надежности.

Умения и практические навыки

выпускники кафедры приобретают в результате их активного участия в деятельности базовых предприятий радиопромышленности по таким направлениям, как:

• «Проектирование новых РЭС, внедрение новых технических решений при создании РЭС и разработке технологии их изготовления»,
• «Разработка и внедрение новых методов и средств измерения, испытания, контроля РЭС, включая неразрушающие, ускоренные, имитационные, сравнительные испытания, моделирование, диагностика и анализ отказов»,
• «Испытания на надежность и моделирование влияния воздействующих факторов на РЭС»,
• «Сертификационные испытания РЭС»,
• «Разработка конструкторской и технологической документации».

Это позволяет выпускникам кафедры проектировать РЭС и разрабатывать технологические процессы их производства с помощью современных методов и информационных технологий и систем автоматического проектирования, разрабатывать и внедрять новые технические решения при проектировании и разработке технологии и методов обеспечения качества РЭС с целью обеспечения их конкурентоспособности.

Подготовленные на кафедре специалисты владеют принципами, методами и средствами проектирования РЭС, методологией разработки технологических процессов создания РЭС, основами управления инновациями и обеспечением конкурентоспособности РЭС, основами стандартизации РЭС, методами и средствами обеспечения, оценки качества и сертификации РЭС, методами автоматизированного проектирования РЭС, методологией управления проектами и логистической поддержки и метрологического обеспечения качества РЭС.

Сотрудники кафедры постоянно повышают свой научно-технический уровень, активно участвуют в научно-исследовательской работе и используют ее результаты в учебном процессе. К основным направлениям научно-практической деятельности сотрудников кафедры относятся:

• исследование, разработка и внедрение новых технологических процессов изготовления РЭС;
• инноватика – поиск и внедрение новых технических решений с целью обеспечения конкурентоспособности продукции и предприятий-разработчиков и изготовителей РЭС;
• разработка новых методов и средств измерения, испытания, контроля, анализа отказов и диагностики РЭС, в т.ч. методов неразрушающего контроля;
• исследование и разработка методов и средств обеспечения качества и надежности РЭС;
• развитие методологии преподавания, обеспечения качества и конкурентоспособности подготовки специалистов в области проектирования и технологии РЭС.
• нормативно-методическое сопровождение проектирования и разработки технологии производства радиоэлектронных средств. Разработка конструкторской и технологической документации;
• обеспечение качества радиоэлектронных средств, применение и развитие методологии управления проектами;
• применение, разработка и внедрение систем автоматизированного проектирования радиоэлектронных систем на основе современных информационных технологий.

Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР)

Кафедра конструирования и производства радиоаппаратуры (кипр)

Кобрин Ю. П.

Моделирование

частотных характеристик

линейных RLC- цепей

на компьютере

Министерство образования Российской Федерации

ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)

Кафедра конструирования и технологии производства радиоаппаратуры (КИПР)

УТВЕРЖДАЮ

Зав. кафедрой КИПР. ___________В. Н. Татаринов

Моделирование частотных характеристик линейных RLC - цепей на компьютере

Методические указания по выполнению лабораторной работы для студентов дневного и дистантного обучения специальностей 200800 и 201300

Разработчик

Доцент кафедры КИПР

Ю.П. Кобрин

Введение 5

1 Частотные характеристики RLC-цепей 5

2 Особенности распространенных RLC- цепей 9

3 Порядок выполнения работы 19

Список использованной литературы 23

Введение

Важнейшими элементами большинства радиоэлектронных схем являются радиотехнические цепи, представляющие собой комбинации резисторов с конденсаторами и кадушками индуктивности (RLC - цепи). Эти цепи отличаются большим разнообразием по своему строению. Они применяются в качестве различных фильтров, разделительных и корректирующих цепей усилителей, основополагающей составной части генераторов, формирователей сигналов необходимой формы и т.п.

Крайне важно знать основные частотные свойства простых RLC - цепей при воздействии на них гармонических (синусоидальных) сигналов, так как это дает возмож­ность судить о поведении подобных цепей и при более сложных воздействиях - как в установившихся, так и в переходных режимах.

Целью настоящей работы является:

изучение методов частотного анализа процессов в устройствах РЭС с помощью схемотехнических САПР;

знакомство с реальными моделями реактивных электрорадиоэлементов (конденсатора и индуктивности);

практическое исследование частотных характеристик ряда важнейшихRLC - цепей, широко распространенных в радиоэлектронной аппаратуре;

приобретение практических навыков моделирования радиотехнических устройств на компьютере с помощью схемотехнических САПР.

1. Частотные характеристикиRlc-цепей

   1. Частотные модели реактивных двухполюсников

Л

Рисунок 1.1 - Последовательная и параллельная модели двухполюсников

юбой реальный реактивный двухполюсник с потерями может иметь две модели - последовательную и параллельную (рис. 1.1). Каждая из них состоит из идеального реактивного элемента (емкости или индуктивности) и резистивного элемента, характеризующего потери энергии, включенного последовательно или параллельно реактивному элементу. Эти модели эквивалентны, если параметры элементов последовательной модели - реактивное сопротивлениеХ пос и актив­ное сопротивлениеR пос связаны с соответствующими параметрами параллельной модели реактивногоX пар и активногоR пар сопротивления следующим соотношением:

(1 .0)

Для высокодобротных конденсаторов и катушек индуктивности обычно -X пос >>R пос. В этом случае

(1 .0)

Отсюда видно, что при преобразовании параллельной модели реак­тивного элемента с потерями в последовательную модель

X пос  X пар, а
(1 .0)

Потери энергии в конденсаторах в справочной литературе принято харак­теризовать тангенсом угла потерь tg δ на рабочей частотеω = 2πf , где δ- угол между вектором тока, проходящего через конденсатор и направлением, кото­рое он занимал бы в отсутствии потерь в конденсаторе. Величина тангенса угла потерь зависит от типа конденсаторов и обычно составляет 10 -3 ...10 -4 . Знаяtg δ, несложно определить сопротивление резистора, моделирующего активные по­тери в последовательной и параллельной модели конденсатора:

(1 .0)

Потери энергии в катушках индуктивности принято характеризовать доб­ротностью Q L :

(1 .0)

Добротность катушек индуктивности обыкновенно составляет от несколь­ких десятков до сотен единиц. В первом приближении можно принять, что па­раметры катушки индуктивности не зависят от частоты. Тогда для высокодобротных катушек индуктивности (QL > 30) при переходе от последо­вательной к параллельной модели можно воспользоваться соотношением:

(1 .0)